BS816A-1 Modo di potenziamento del canale P DMOS TRANSISTOR transistor RF ad alta potenza

BS816A-1 Modo di miglioramento del canale P DMOS TRANSISTORE
DIODI | |
Categoria di prodotto: | RISULTATO: |
RoHS: | Dettagli |
- | |
16NSOP | |
Norme | |
Peso unitario: | - oz. |
Questo transistor è adatto per amplificatori di potenza RF in varie applicazioni come la comunicazione wireless,
La Commissione ritiene che la Commissione debba adottare misure adeguate.
● Modalità di potenziamento del canale P
● Tecnologia dei transistor DMOS
● Potenza elevata
● Ampia gamma di frequenze
● Basso rumore
● Maggiore guadagno
● Buona linearità
● Piccole distorsioni del segnale
● Compatibile con la RoHS
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