BS816A-1 Modo di potenziamento del canale P DMOS TRANSISTOR transistor RF ad alta potenza
BS816A-1 Modo di miglioramento del canale P DMOS TRANSISTORE
| DIODI | |
| Categoria di prodotto: | RISULTATO: |
| RoHS: | Dettagli |
| - | |
| 16NSOP | |
| Norme | |
| Peso unitario: | - oz. |
Questo transistor è adatto per amplificatori di potenza RF in varie applicazioni come la comunicazione wireless,
La Commissione ritiene che la Commissione debba adottare misure adeguate.
● Modalità di potenziamento del canale P
● Tecnologia dei transistor DMOS
● Potenza elevata
● Ampia gamma di frequenze
● Basso rumore
● Maggiore guadagno
● Buona linearità
● Piccole distorsioni del segnale
● Compatibile con la RoHS
|
![]()
![]()
![]()

