ZXTN25100BFHTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz Transistor RF 1,25 W
| Diodi incorporati | |
| Categoria di prodotto: | Transistori bipolari - BJT |
| RoHS: | Dettagli |
| SMD/SMT | |
| SOT-23-3 | |
| NPN | |
| Non sposato | |
| 100 V | |
| 170 V | |
| 7 V | |
| 200 mV | |
| 3 A | |
| 1.81 W | |
| 160 MHz | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| ZXTN25100 | |
| Rilo | |
| Taglio del nastro | |
| MouseReel | |
| Marca: | Diodi incorporati |
| Altezza: | 1 mm |
| Lungo: | 30,05 mm |
| Tipo di prodotto: | BJT - Transistor bipolari |
| Sottocategoria: | Transistori |
| Tecnologia: | - Sì. |
| Larghezza: | 1.4 mm |
| Peso unitario: | 0.000282 once |
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Status del prodotto
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Attivo
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Tipo di transistor
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Corrente - Collettore (Ic) (Max)
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3 A
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Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max)
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100 V
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Vce saturazione (max) @ Ib, Ic
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250 mV @ 300mA, 3A
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Corrente - limite del collettore (massimo)
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50nA (ICBO)
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Cfr. la sezione 5.2.
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100 @ 10mA, 2V
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Potenza - Max
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1.25 W
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Frequenza - Transizione
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160 MHz
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Confezione / Cassa
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Confezione del dispositivo del fornitore
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SOT-23-3
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Caratteristiche
BVcEo > 100V
BVcEx > 170V Voltaggio di blocco in avanti
BVEco > 6V Voltaggio di blocco inverso
Ic = 3A alta corrente continua del collettore
La tensione di saturazione bassa, VCE(SAT) < 80mV @ 1A
RCE(SAT) = 67mQ per una bassa resistenza equivalente
1.25W Dissipazione di potenza
hFE Specificato fino a 3A per il trattenimento del guadagno di corrente elevata
Tipo di PNP complementare: ZXTP25100BFH
Completamente privo di piombo e pienamente conforme alla RoHS (note 1 e 2)
Dispositivo privo di alogeni e antimoni (nota 3)
Qualificato secondo le norme AEC-Q101 per l'alta rellibilità
Dati meccanici
Caso: SOT23
Materiale della cassa: plastica stampata, composto di stampaggio "verde";
Classificazione UL di infiammabilità 94V-0
Sensibilità all'umidità: livello 1 per J-STD-020
Termini: Finitura - Matte tin plated lead, soldable per
MIL-STD-202, metodo 2080@3)
Peso 0,008 grammi (approssimativo)
Applicazioni
●Relai di luci e conduttori di solenoidi
●Trasformazione generale nelle applicazioni automobilistiche e industriali
●Azionamento e controllo del motore
- Tipo: transistor a giunzione bipolare NPN (negativo-positivo-negativo)
- Tensione nominale: 100 V (tensione massima collettore-emettitore)
- Corrente nominale: 3 A (corrente massima del collettore)
- Frequenza: 160 MHz (frequenza massima alla quale può operare efficacemente)
- Dissipazione di potenza: 1,25 W (potenza massima che può essere dissipata dal transistor)
- Tipo di imballaggio: imballaggio a montaggio superficiale (SMT), che consente di
- per il montaggio sulla superficie di una scheda di circuito stampato (PCB) senza richiedere la saldatura a fori.
