MT40A1G16KNR-075:E SDRAM DDR4 Memoria IC 16Gbit Parallelo 1,33 GHz 19 ns Circuito integrato
MT40A1G16KNR-075: E
,MT40A1G16KNR-075:E IC di memoria
,IC di memoria SDRAM DDR4
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - DDR4 Memoria IC 16Gbit Parallelo 1,33 GHz 19 ns
| Tecnologia Micron | |
| Categoria di prodotto: | DRAM |
| RoHS: | Dettagli |
| SDRAM - DDR4 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-96 | |
| 16 bit | |
| 1 G x 16 | |
| 16 Gbit | |
| 1.6 GHz | |
| 13.5 ns | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| 118 mA | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT40A | |
| Scaffale | |
| Marca: | Microne |
| Sensibile all'umidità: | - Sì, sì. |
| Tipo di prodotto: | DRAM |
| Sottocategoria: | Memoria e archiviazione dei dati |
| Nome commerciale: | TwinDie |
| Peso unitario: | 0.227649 once |
Descrizione
La 16Gb (TwinDieTM) DDR4 SDRAM utilizza la DDR4 SDRAM da 8Gb di Micron; due x8 combinati per produrre
segnali simili a mono x16, c'è una connessione ZQ in più per una calibrazione ZQ più veloce e un
Controllo BG1 richiesto per l'indirizzamento x8. Si rimanda alla scheda dati 8Gb DDR4 SDRAM di Micron (opzione x8) per
le specifiche non incluse nel presente documento; le specifiche per il numero di parte base MT40A1G8 corrispondono
al numero di parte di fabbricazione TwinDie MT40A1G16.
Caratteristiche
• Usa due matrici Micron da 8 GB per produrre una di 16
• TwinDie di grado singolo • VDD = VDDQ = 1,2V (1,14-1,26V)
• I/O con terminazione VDDQ a 1,2 V
• Ball-out secondo lo standard JEDEC
• pacchetto poco diffuso
• TC da 0°C a 95°C - 0°C a 85°C: 8192 cicli di aggiornamento in 64ms - 85°C a 95°C: 8192 cicli di aggiornamento in 32ms
Configurazione delle opzioni
- 64 Megx 16x 16 banchix 1 rank
Pacchetto FBGA da 96 palline (senza Pb)
-9.5 mmx14 mmx1.2 mmDieRev:A
- 8,0 mm x 14 mm x 1,2 mm DieRev: B,D
- 7,5 mm x 13,5 mm x 1,2 mm Die Rev:E
Timing - tempo del ciclo
- 0,625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL= 21 (DDR4-2933)
- 0,750ns @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750ns @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0,833ns @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0,833ns @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0,937ns @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1.071ns @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Autorefrescamento
- Standard.
Temperatura di funzionamento
- Commerciale (0°C≤Tc≤95°C)
Revisione
Il MT40A1G16KNR-075:E è un numero di parte specifico per un modulo di memoria.
MT40A1G16KNR-075:E in base ai risultati della ricerca:
-
Produttore e Prodotto:
- L'MT40A1G16KNR-075:E è prodotto da Micron, una società nota nel settore della memoria e dello storageAltri prodotti.
- È un modulo di memoria che appartiene alla DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random
- Famiglia di memoria di accessoAltri prodotti.
-
Specificità:
- Capacità: la "1G" nel numero della parte indica una capacità di 1 Gigabit (Gb), che equivale a 128 Megabytes
- (MB)Altri prodotti.
- Organizzazione: il "16" nel numero di parte rappresenta l'organizzazione del modulo di memoria, che è di 16 bitAltri prodotti.
- Velocità: il numero "075" nel numero della parte indica il grado di velocità del modulo.
- velocità di trasferimento di 2133 megatransferimenti al secondo (MT/s)Altri prodotti.
- Voltaggio: la "E" nel numero della parte indica il livello di tensione del modulo, pari a 1,2 voltAltri prodotti.
-
Applicazione:
- Il modulo di memoria MT40A1G16KNR-075:E è comunemente utilizzato in vari dispositivi elettronici come computer, server e altri sistemi che richiedono una memoria ad alte prestazioniAltri prodotti.
