M95512-WMN6P Memoria EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuiti integrati 8-SOIC

IC di memoria EEPROM da 512 Kbit
,IC di memoria SPI EEPROM
,M95512-WMN6P
M95512-WMN6P Memoria EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz Circuiti integrati 8-SOIC
STMicroelettronica | |
Categoria di prodotto: | EEPROM |
RoHS: | Dettagli |
SMD/SMT | |
SOIC-8 | |
SPI | |
512 kbit | |
64 k x 8 | |
2.5 V | |
5.5 V | |
- 40 C. | |
+ 85 C | |
16 MHz | |
25 ns | |
200 anni | |
8 mA | |
M95512-W | |
Tubo | |
Corrente di lettura attiva - Max: | 8 mA |
Marca: | STMicroelettronica |
Altezza: | 1.65 mm |
Lungo: | 5 mm |
Corrente di alimentazione di funzionamento: | 6 mA |
Tensione di alimentazione di funzionamento: | 3.3 V, 5 V |
Tipo di prodotto: | EEPROM |
Voltaggio di programmazione: | 2.5 V a 5.5 V |
Sottocategoria: | Memoria e archiviazione dei dati |
Larghezza: | 4 mm |
Peso unitario: | 0.019048 once |
Descrizione
I dispositivi M95512 sono memorie programmabili elettricamente cancellabili (EEPROM) organizzate come
65536 x 8 bit, accessibile tramite il bus SPI. Il M95512-W può funzionare con una tensione di alimentazione da 2,5 V
Il M95512-R può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,8 V a 5,5 V e il M95512-DF può
operare con una tensione di alimentazione compresa tra 1,7 V e 5,5 V, nell'intervallo di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C.
Il M95512-DF offre una pagina aggiuntiva, denominata pagina di identificazione (128 byte).
page può essere utilizzato per memorizzare parametri sensibili delle applicazioni che possono essere (più tardi) bloccati in modo permanente
modalità di sola lettura.
Caratteristiche
• Compatibile con il bus dell'interfaccia seriale dei periferici (SPI)
• Array di memoria ¥ 512-Kbit (64-Kbyte) di EEPROM ¥ Dimensione della pagina: 128 byte ¥ Pagina di scrittura bloccabile aggiuntiva
(Pagina di identificazione)
• Tempo di scrittura Bytes Scrivere entro 5 ms Pagina Scrivere entro 5 ms
• Scrivere proteggere ⁄ quarti di array ⁄ metà array ⁄ intera memory array
• Orologio ad alta velocità: 16 MHz
• tensione di alimentazione singola: ¥ 2,5 V a 5,5 V per M95512-W ¥ 1,8 V a 5,5 V per M95512-R ¥ 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF
• Intervallo di temperatura di funzionamento: da -40 °C a +85 °C
• Protezione ESD migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• conservazione dei dati per oltre 200 anni
• Pacchetti ∆ SO8N (ECOPACK2) ∆ TSSOP8 (ECOPACK2) ∆ UFDFPN8 (ECOPACK2) ∆ WLCSP8 (ECOPACK2)
Descrizione
I dispositivi M95512 sono memorie programmabili elettricamente cancellabili (EEPROM) organizzate come
65536 x 8 bit, accessibile tramite il bus SPI. Il M95512-W può funzionare con una tensione di alimentazione da 2,5 V
Il M95512-R può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,8 V a 5,5 V e il M95512-DF può
operare con una tensione di alimentazione compresa tra 1,7 V e 5,5 V, nell'intervallo di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C.
Il M95512-DF offre una pagina aggiuntiva, denominata pagina di identificazione (128 byte).
page può essere utilizzato per memorizzare parametri sensibili delle applicazioni che possono essere (più tardi) bloccati in modo permanente
modalità di sola lettura.
Caratteristiche
• Compatibile con il bus dell'interfaccia seriale dei periferici (SPI)
• Array di memoria ¥ 512-Kbit (64-Kbyte) di EEPROM ¥ Dimensione della pagina: 128 byte ¥ Pagina di scrittura bloccabile aggiuntiva
(Pagina di identificazione)
• Tempo di scrittura Bytes Scrivere entro 5 ms Pagina Scrivere entro 5 ms
• Scrivere proteggere ⁄ quarti di array ⁄ metà array ⁄ intera memory array
• Orologio ad alta velocità: 16 MHz
• tensione di alimentazione singola: ¥ 2,5 V a 5,5 V per M95512-W ¥ 1,8 V a 5,5 V per M95512-R ¥ 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF
• Intervallo di temperatura di funzionamento: da -40 °C a +85 °C
• Protezione ESD migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• conservazione dei dati per oltre 200 anni
• Pacchetti ∆ SO8N (ECOPACK2) ∆ TSSOP8 (ECOPACK2) ∆ UFDFPN8 (ECOPACK2) ∆ WLCSP8 (ECOPACK2)

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SG3525AP013TR Controllatori di commutazione modalità tensione con circuiti integrati sincronizzati IC
Immagine | parte # | Descrizione | |
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