JS28F512M29EWHA Flash - NOR IC di memoria 512Mbit parallelo 110ns 56-TSOP circuiti integrati IC
JS28F512M29EWHA Flash - NOR IC di memoria 512Mbit parallelo 110ns 56-TSOP circuiti integrati IC
| Tecnologia Micron | |
| Categoria di prodotto: | Non Flash |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| Parallelamente | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 bit/16 bit | |
| Asincrono | |
| - 40 C. | |
| + 85 C | |
| Scaffale | |
| Marca: | Microne |
| Tipo di memoria: | Non |
| Tipo di prodotto: | Non Flash |
| Velocità: | 110 ns |
| Standard: | Interfaccia flash comune (CFI) |
| Sottocategoria: | Memoria e archiviazione dei dati |
| Tipo: | Blocco di avvio |
Caratteristiche
●2Gb = dispositivo impilato (due matrici da 1Gb)
- Vcc = 2,7 - 3,6 V (programma, cancellazione, lettura)
- VccQ= 1,65- -Vcc (1/0 tamponi)
● lettura casuale/pagina asincrona
一Page size: 16 parole o 32 byte
Un accesso a pagina: 25ns
- Accesso casuale: 100 ns (BGA fortificato); 110 ns (TSOP)
● Programma buffer: programma buffer di 512 parole
●Tempo di programmazione
一0.88us per byte (1,14 MB/s) TYP quando si utilizza il full
Dimensione del buffer di 512 parole nel programma di buffer
●Organizzazione della memoria
- Blocchi uniformi: 128 Kbyte o 64 Kword ciascuno
● Programma/controller di cancellazione
- byte incorporato (x8) / parola (x16) programma algo-
Ritmi
●Capacità di programma/cancellare sospendere e riprendere
- Leggere da un altro blocco durante un programma
Operazione SUSPEND
- Leggere o programmare un altro blocco durante un ERASE
Operazione SUSPEND
Operazione BLANK CHECK per verificare un blocco cancellato
●Sbloccare bypass, bloccare cancellare, cancellare chip, e scrivere a
capacità di buffer
- Programmazione a batch/buffer veloce
- Cancellazione rapida del blocco/chip
●Vpp/WP# protezione degli spilli
- Protegge il primo o l' ultimo blocco indipendentemente dal blocco
impostazioni di protezione
Protezione del software
- Protezione da volatilità
- Protezione non volatile
- Protezione con password
1 Accesso con password
●Blocco di memoria esteso
一128-word (256-byte) blocco per permanente, sicuro
Identificazione
1 Programmata o bloccata in fabbrica o dal
cliente
● Basso consumo energetico: modalità standby
●conforme alla norma JESD47
一100,000 cicli minimi di ERASE per blocco
- conservazione dei dati: 20 anni (TYP)
65nm multilevel cell MLC) tecnologia di processo
Pacco
一56 pin TSOP, 14 x 20 mm
BGA fortificato a 64 palline, 13x11 mm
●Disponibili pacchetti verdi
- RoHS-compliant
- Senza alogene
●Temperatura di funzionamento
- Ambiente: - da 40°C a +85°C
Tel: +86-755-23606019
Indirizzo: stanza 1205-1207, edificio Nanguang, strada Huafu, Distretto di Futian, Shenzhen, Guangdong, Cina
Laneya.
Telefono: +86-13420902155
E-mail: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2
NT2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuiti integrati
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
|
|
|
|
NT2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
|
|
|
|
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuiti integrati |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
|
