NT2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
NT1comunicazione
,Chip DRAM 2Gbit
,NT1comunicazione elettronica
NT2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
| Modello | NT1comunitarizzazione |
| Densità della DRAM | 2 GB |
| Configurazione | x16 |
| Voltaggio | 1.35V |
| Pacco | BGA da 96 palle |
| Velocità | 1866 Mbps |
| Temperatura | -40°C~95°C |
| Grado | Industria |
Descrizioni
JEDEC DDR3 Conforme
8n Prefetch Architettura
L'orologio differenziale (CK/CK) e la stroba dei dati (DQS/DQS)
¢ tasso di doppia trasmissione dei dati sui DQ, sui DQS e sui DM
Integrità dei dati
¢ Auto Self Refresh (ASR) tramite DRAM incorporato in TS
Modi di aggiornamento automatico e auto-aggiornamento
Modalità di risparmio energetico
¢ Modalità di spegnimento
Integrità del segnale
¢ DS configurabile per la compatibilità del sistema
ZQ Calibrazione per la precisione dell'impedenza DS/ODT tramite
pad ZQ esterno (240 ohm ± 1%)
Sincronizzazione del segnale
¢ Scrivere il livellamento tramite le impostazioni MR 5
Interfaccia e alimentazione
L'indicatore di potenza di sorveglianza è basato su una serie di parametri.
L'indicatore di potenza di sorveglianza è basato su una serie di parametri.
Opzioni
Classe di velocità (CL-TRCD-TRP) 1
- 2133 Mbps / 14-14
- 1866 Mbps / 13-13
- 1600 Mbps / 11-11-11
Intervallo di temperatura (Tc) 3
️ Grado commerciale = 0°C~95°C
️ Qualità quasi industriale (-T) = -40°C~95°C
️ Grado industriale (-I) = -40°C~95°C
Funzioni programmabili
CAS latenza (6/7/8/9/10/11/13/14)
CAS Latenza di scrittura (5/6/7/8/9/10)
La latenza additiva (0/CL-1/CL-2)
Scrivere il tempo di recupero (5/6/7/8/10/12/14/16)
Tipo di scatto (sequenziale/interlacciato)
Lunghezza di scoppio (BL8/BC4/BC4 o 8 in volo)
AutorefrescamentoTemperatura (normale/estesa)
Impedenza del driver di uscita (34/40)
Terminamento immediato di Rtt_Nom ((20/30/40/60/120)
Terminare la Rtt_WR ((60/120)
Precarica Power Down (lento/veloce)
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd è un fornitore su larga scala specializzato in circuiti integrati a semiconduttori (ICS) famosi da tutto il mondo.
Abbiamo molti anni di esperienza nella gestione delle vendite, supporto professionale di vari componenti elettronici e abbiamo una grande quantità di scorte per molto tempo.
È principalmente agente di CCTC Advanced Ceramic Capacitors
RICHTEK, SGMRICO, distribuisce su AD, XILINX, ST, ALTERA, TI e tutte le serie di IC e resistori, induttori e muffe.Basato sulla tecnologia e orientato al mercato, abbiamo accumulato ricca esperienza di business e ha formato un completo sistema di gestione.ha stabilito buoni rapporti di cooperazione con produttori e agenti negli Stati Uniti, Europa, Giappone, Corea del Sud e Taiwan, e ha migliorato costantemente la qualità del servizio.L'azienda si è sviluppata rapidamente e ha stabilito relazioni di cooperazione amichevoli a lungo termine con molti commercianti e produttori in tutto il paeseLa società aderisce sempre al concetto e allo scopo di sviluppo di "qualità prima, prezzo ragionevole, consegna rapida e servizio prima".È nostro dovere fornire il servizio più soddisfacente all'impresaAttraverso un forte sistema di rete di servizi di mercato, forniamo servizi standardizzati, professionali, diversificati e di alta qualità per l'impresa.
Tel: +86-755-23606019
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Laneya.
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuiti integrati
JS28F512M29EWHA Flash - NOR IC di memoria 512Mbit parallelo 110ns 56-TSOP circuiti integrati IC
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuiti integrati |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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JS28F512M29EWHA Flash - NOR IC di memoria 512Mbit parallelo 110ns 56-TSOP circuiti integrati IC |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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